Heavy ion-induced microdose effects on the reliability of planar and FinFET-based SRAM physical unclonable functions

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标题	Heavy ion-induced microdose effects on the reliability of planar and FinFET-based SRAM physical unclonable functions 重离子诱导的微剂量对基于平面和FinFET的SRAM物理不可克隆功能可靠性的影响相关领域微量剂量静态随机存取存储器可靠性（半导体）材料科学平面的离子光电子学电子工程物理不可克隆功能可靠性工程计算机科学化学工程类物理密码学算法医学功率（物理）有机化学计算机图形学（图像）药理学量子力学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0213157
DOI	10.1063/5.0213157 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Jinjin Shao; Ruiqiang Song; Shaoqing Li; Yang Guo; Yaqing Chi; et al 出版日期：2024-06-24
求助人	wsdekyt 在 2025-01-02 20:18:37 发布自上海，悬赏 10 积分
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