Reconfigurable Radio‐Frequency High‐Electron Mobility Transistors via Ferroelectric‐Based Gallium Nitride Heterostructure

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标题	Reconfigurable Radio‐Frequency High‐Electron Mobility Transistors via Ferroelectric‐Based Gallium Nitride Heterostructure 基于铁电氮化镓异质结构的可重构射频高电子迁移率晶体管相关领域材料科学光电子学异质结氮化镓铁电性晶体管无线电频率跨导高电子迁移率晶体管电介质电压纳米技术电气工程图层（电子）工程类
网址	https://doi.org/10.1002/aelm.202101406
DOI	10.1002/aelm.202101406 doi
其它	期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Jeong Yong Yang; Min Jae Yeom; Jae Yong Lee; Kyusang Lee; Changkun Park; et al 出版日期：2022-04-10
求助人	叶子在 2025-01-06 13:36:59 发布自浙江，悬赏 10 积分
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