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The Transition from Type-I to Type-II SiC/GaN Heterostructure with External Strain
外应变下SiC/GaN异质结构从I型到II型的转变
相关领域
异质结
材料科学
光电子学
半导体
带隙
宽禁带半导体
应变工程
直接和间接带隙
纳米技术
硅
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期刊:Crystals 作者:Li Zhang; Haiyang Sun; Ruxin Zheng; Hao Pan; Wei-Hua Mu; et al 出版日期:2023-12-27 |
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