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 Fundamental study on the selective etching of SiGe and Si in ClF3 gas for nanosheet gate-all-around transistor manufacturing: A first principle study ClF3气体中SiGe和Si选择性刻蚀制备纳米片栅型晶体管的基础研究：第一原理研究
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期刊：Journal of vacuum science and technology 作者：Yu-Hao Tsai; Mingmei Wang 出版日期：2021-12-07 |
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