Effect of top gate potential on bias-stress for dual gate amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin film transistor

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标题	Effect of top gate potential on bias-stress for dual gate amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin film transistor 顶栅电压对双栅非晶体In-Ga-Zn-Oxide薄膜晶体管偏置应力的影响相关领域材料科学薄膜晶体管无定形固体阈值电压 X射线光电子能谱光电子学偏压铟栅氧化层压力（语言学）晶体管图层（电子）电气工程电压纳米技术化学结晶学核磁共振物理工程类语言学哲学
网址	https://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/1.4960014
DOI	10.1063/1.4960014 doi
其它	期刊：AIP Advances 作者：Minkyu Chun; Jae Gwang Um; Min Sang Park; Md Delwar Hossain Chowdhury; Jin Jang 出版日期：2016-07-01
求助人	坐井观天的蛙在 2024-11-18 17:18:46 发布自四川，悬赏 10 积分
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