Identification of deep levels in GaN associated with dislocations

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标题	Identification of deep levels in GaN associated with dislocations GaN中与位错有关的深能级的识别相关领域材料科学位错深能级瞬态光谱兴奋剂退火（玻璃）透射电子显微镜化学气相沉积彭宁离子阱光电子学分析化学（期刊）结晶学硅电子纳米技术复合材料化学物理量子力学色谱法
网址	https://doi.org/10.1088/0953-8984/16/34/027
DOI	10.1088/0953-8984/16/34/027 doi
其它	期刊：Journal of Physics: Condensed Matter 作者：C. B. Soh; Soo-Jin Chua; H. S. Lim; D Z; W Liu; et al 出版日期：2004-08-18
求助人	hehe 在 2024-10-23 10:17:15 发布自广东，悬赏 10 积分
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