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 Hydrogen-Induced Resistive Switching in TiN/ALD $ \hbox{HfO}_{2}$/PEALD TiN RRAM Device Ti/Al LD $ \hbox{OfO}_{2}$/PEAl Ti RRAM器件中的氢致电阻开关
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yang Yin Chen; L. Goux; Johan Swerts; Michael Toeller; Christoph Adelmann; et al 出版日期：2012-04-01 |
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