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 AC TDDB Analysis for HK/IL Gate Stack Breakdown and Frequency-dependent Oxygen Vacancy Trap Generation in Advanced nodes FinFET Devices by SILC Spectrum Methodology 用SILC谱方法分析先进节点FinFET器件中HK/IL栅极堆叠击穿和频率相关氧空位陷阱产生的交流TDDB
相关领域
随时间变化的栅氧化层击穿
SILC公司
材料科学
PMOS逻辑
NMOS逻辑
MOSFET
光电子学
节点（物理）
存水弯（水管）
电气工程
堆栈（抽象数据类型）
电子工程
逻辑门
栅氧化层
工程类
量子隧道
电压
计算机科学
晶体管
环境工程
结构工程
程序设计语言
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| 其它 |
期刊：2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 作者：P. S. Chen; Y. W. Lee; Dongsheng Huang; S. C. Chen; Chun-Kai Cheng; et al 出版日期：2022-03-01 |
| 求助人 | |
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