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 Effects of the LPCVD Gate Dielectric Deposition Temperature on GaN MOSFET Channels and the Root Causes at the SiO$_\text{2}$-GaN-Interface LPCVD栅介质沉积温度对GaN MOSFET沟道的影响及SiO$_\text{2}$-GaN界面的根本原因
相关领域
栅极电介质
电介质
材料科学
栅氧化层
分析化学（期刊）
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化学气相沉积
光电子学
高-κ电介质
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Mirjam Henn; Christian Huber; Dick Scholten; Nando Kaminski 出版日期：2024-01-01 |
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