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 Effect of varying threading dislocation densities on the optical properties of InGaN/GaN quantum wells with intentionally created V-shaped pits 不同穿线位错密度对V形坑InGaN/GaN量子阱光学性质的影响
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期刊：Journal of vacuum science and technology 作者：Kaitian Zhang; Chenxi Hu; Vijay Gopal Thirupakuzi Vangipuram; Lingyu Meng; Christopher Chae; et al 出版日期：2023-11-16 |
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