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 (Digital Presentation) Characterization and Compression Technology of Real 3D Corner Residue Between Dummy Gate and Formed Fin During an Advanced Inductive Coupled Plasma (ICP) Gate Etch Process in Advanced FinFET 先进FinFET中先进感应耦合等离子体（ICP）栅极刻蚀过程中虚拟栅极与成形翅片之间真实三维角残留物的表征及压缩技术
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期刊：ECS transactions 作者：Xingyu Xiao; Yanliang Wang; Bo Su; Ke Xing; Shiliang Ji; et al 出版日期：2022-05-20 |
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