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 E-mode AlN/GaN HEMTs on Si with 80.4% PAE at 3.6 GHz for Low-Supply-Voltage RF Power Applications 3.6 GHz时PAE为80.4%的硅上E型AlN/GaN HEMT，用于低电源电压RF功率应用
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Guangjie Gao; Zhihong Liu; Lu Hao; Fang Zhang; Xiaojin Chen; et al 出版日期：2024-01-01 |
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