| 标题 |
 Leakage of holes induced by Si doping in the AlGaN first barrier layer in GaN/AlGaN multiple-quantum-well ultraviolet light-emitting diodes GaN/AlGaN多量子阱紫外发光二极管AlGaN第一势垒层中Si掺杂引起的空穴泄漏
相关领域
电致发光
材料科学
光电子学
阻挡层
发光二极管
兴奋剂
紫外线
发光
二极管
杂质
硅
量子阱
泄漏（经济）
量子效率
图层（电子）
光学
化学
纳米技术
物理
激光器
经济
宏观经济学
有机化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Luminescence 作者：Wei Liu; Shiwei Yuan; Xiaoya Fan 出版日期：2021-03-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
我是站长才怪
劲秉
爱静静
双黄
tuanheqi
李神奇
带头大哥
iamleopeng
Billy
wy.he
HEIKU
sissiarno
彭于彦祖
平常的毛豆
司南
搜集达人
秀丽烨霖
shinysparrow
坚强的广山
美好乐松
皖公网安备34019202002308
