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 Reduction in relaxation time due to ionized impurities in GaAs/AlGaAs quantum well structures GaAs/AlGaAs量子阱结构中电离杂质引起的弛豫时间的减少
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期刊：Superlattices and Microstructures 作者：J.H. Park; Shunsuke Senzaki; Nobuya Mori; Chihiro Hamaguchi 出版日期：2000-05-01 |
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