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 Reliability Engineering of High‐Mobility IGZO Transistors via Gate Insulator Heterostructures Grown by Atomic Layer Deposition 原子层沉积栅绝缘体异质结构高迁移率IGZO晶体管的可靠性工程
相关领域
材料科学
原子层沉积
异质结
光电子学
图层（电子）
可靠性（半导体）
晶体管
绝缘体（电）
薄膜晶体管
电子迁移率
纳米技术
电气工程
电压
工程类
物理
功率（物理）
量子力学
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期刊：Advanced Materials Interfaces 作者：Yoon‐Seo Kim; Taewon Hwang; Hye‐Jin Oh; Joon Seok Park; Jin‐Seong Park 出版日期：2024-03-25 |
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