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 Stable and repeatable ZrO2 RRAM achieved by NiO barrier layer for negative set phenomenon elimination 用Nio阻挡层消除负集现象实现稳定可重复的Zro2 Rram
相关领域
非阻塞I/O
电阻随机存取存储器
材料科学
图层（电子）
现象
阻挡层
纳米技术
化学
物理
电极
物理化学
生物化学
量子力学
催化作用
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| 其它 |
期刊：Solid-state Electronics 作者：Tangyou Sun; Fantao Yu; Chengcheng Li; Taohua Ning; Xingpeng Liu; et al 出版日期：2024-05-03 |
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