Lowering the Schottky Barrier Height by Graphene/Ag Electrodes for High‐Mobility MoS2 Field‐Effect Transistors

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标题	Lowering the Schottky Barrier Height by Graphene/Ag Electrodes for High‐Mobility MoS2 Field‐Effect Transistors 石墨烯/Ag电极降低高迁移率MoS2场效应晶体管肖特基势垒高度相关领域晶体管肖特基二极管纳米技术二硫化钼半导体
网址	https://doi.org/10.1002/adma.201804422
DOI	10.1002/adma.201804422 doi
其它	期刊：Advanced Materials 作者：Sang Soo Chee; Dongpyo Seo; Hanggyu Kim; Hwanchol Jang; Seungmin Lee; et al 出版日期：2018-11-09
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