| 标题 |
 A tunable band gap of the layered semiconductor Zn3In2S6 under pressure 压下Zn3In2S6层状半导体的可调带隙
相关领域
半导体
材料科学
宽禁带半导体
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期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Resta A. Susilo; Yu Liu; H. W. Sheng; Hongliang Dong; Raimundas Sereika; et al 出版日期：2022-01-01 |
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