| 标题 |
 Plasma-enhanced atomic layer deposition of silicon nitride thin films with different substrate biasing using Diiodosilane precursor 二碘硅烷前驱体不同衬底偏压等离子体增强原子层沉积氮化硅薄膜
相关领域
材料科学
基质（水族馆）
偏压
图层（电子）
原子层沉积
氮化硅
硅
光电子学
氮化物
沉积（地质）
等离子体
纳米技术
薄膜
原子层外延
化学工程
电压
地质学
工程类
古生物学
物理
海洋学
生物
量子力学
沉积物
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Mohammed Zeghouane; Gauthier Lefèvre; S. Labau; Mohammed-Bilal Hachemi; F. Bassani; et al 出版日期：2024-12-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
不配.
个性的紫菜
Cloud
薰硝壤
爱静静
都是
iNk
寻道图强
ShowMaker
kento
乐乐乐乐乐乐
浅尝离白
Yziii
pcr163
shinysparrow
Singularity
坚强亦丝
HEIKU
小墨
好困
皖公网安备34019202002308
