Ternary Ga–Sn–O and quaternary In–Ga–Sn–O channel based thin film transistors fabricated by plasma-enhanced atomic layer deposition

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标题	Ternary Ga–Sn–O and quaternary In–Ga–Sn–O channel based thin film transistors fabricated by plasma-enhanced atomic layer deposition 等离子体增强原子层沉积制备三元Ga-Sn-O和四元In-Ga-Sn-O沟道基薄膜晶体管相关领域材料科学原子层沉积三元运算薄膜晶体管无定形固体薄膜镓光电子学图层（电子）分析化学（期刊）纳米技术结晶学冶金化学色谱法计算机科学程序设计语言
网址	https://pubs.aip.org/avs/jva/article-abstract/41/6/062406/29...
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？ AI识别 10.1116/6.0003004 doi
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