Room‐Temperature Processed Lateral Trench‐Metal–Insulator–Semiconductor Schottky Barrier Diodes with Amorphous Gallium Oxide (a‐Ga2O3) Thin Films on Single‐Crystal Silicon <100>

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标题	Room‐Temperature Processed Lateral Trench‐Metal–Insulator–Semiconductor Schottky Barrier Diodes with Amorphous Gallium Oxide (a‐Ga2O3) Thin Films on Single‐Crystal Silicon <100> 在单晶硅<100>上具有非晶氧化镓（a-Ga2O3）薄膜的室温处理横向沟槽-金属-绝缘体-半导体肖特基势垒二极管相关领域材料科学肖特基二极管光电子学二极管肖特基势垒硅制作半导体医学替代医学病理
网址	http://dx.doi.org/10.1002/pssa.202200054
DOI	10.1002/pssa.202200054 doi
求助人	自来也在 2024-10-25 21:41:54 发布自北京，悬赏 10 积分
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