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 An Electronic Synapse Device Based on Metal Oxide Resistive Switching Memory for Neuromorphic Computation 用于神经形态计算的基于金属氧化物电阻开关存储器的电子突触装置
相关领域
神经形态工程学
电阻随机存取存储器
材料科学
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Shimeng Yu; Yi Wu; Rakesh Jeyasingh; Duygu Kuzum; S.S. Wong 出版日期：2011-06-17 |
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