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 Growth of six inches N-type SiC single crystals with low dislocation defects 六英寸低位错缺陷N型SiC单晶的生长
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期刊：China International Forum on Solid State Lighting 作者：Zhang Fusheng; Yang Kun; Liu Xinhui; Shang Yuanhang; Niu Xiaolong; et al 出版日期：2020-11-23 |
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