标题 |
Impact of Oxygen Flow Rate on the Instability Under Positive Bias Stresses in DC-Sputtered Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors
氧流量对直流溅射非晶InGaZnO薄膜晶体管正偏压不稳定性的影响
相关领域
薄膜晶体管
无定形固体
材料科学
光电子学
分析化学(期刊)
物理
化学
纳米技术
结晶学
有机化学
图层(电子)
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其它 |
期刊:IEEE electron device letters 作者:Sungchul Kim; Yong Woo Jeon; Yong-Sik Kim; Dongsik Kong; Hyun Kwang Jung; et al 出版日期:2012-01-01 |
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