标题 |
16.1: Characteristics of Ln‐doped IZO TFT according to the Change of Indium concentration for DeMUX Applications
16.1:用于DeMUX应用的根据铟浓度变化的Ln掺杂IZO TFT的特性
相关领域
多路复用器
薄膜晶体管
材料科学
兴奋剂
制作
溅射
铟
光电子学
纳米技术
计算机科学
多路复用
薄膜
电信
医学
替代医学
图层(电子)
病理
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Sid's Digest Of Technical Papers 作者:Hyeonji Seo; Cheng Gong; Zhihui Cai; Zhixiong Jiang; Shan Li; et al 出版日期:2023-04-01 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|