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 Two-dimensional monolayer BiSnO3: A novel wide-band-gap semiconductor with high stability and strong ultraviolet absorption 二维单层BiSnO3：一种具有高稳定性和强紫外吸收的新型宽带隙半导体
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期刊：Journal of Physics: Condensed Matter 作者：Hongbo Wu; Weizhen Meng; Chunhui Zhu; Zhixue Tian; Fengxian Ma; et al 出版日期：2024-04-26 |
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