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 Robustly Stable Ferroelectric Polarization States Enable Long-Term Nonvolatile Storage against Radiation in HfO2-Based Ferroelectric Field-Effect Transistors 在HfO2基铁电场效应晶体管中，稳定的铁电极化态能够长期非易失性存储以抵抗辐射
相关领域
铁电性
材料科学
光电子学
极化（电化学）
非易失性存储器
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辐照
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Siwei Dai; Qijun Yang; Binjian Zeng; Shuaizhi Zheng; Xiangli Zhong; et al 出版日期：2022-11-01 |
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