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 Formation Mechanism of Rounded SiGe-Etch Front in Isotropic SiGe Plasma Etching for Gate-All-Around FETs 全栅极场效应晶体管各向同性SiGe等离子体刻蚀中圆形SiGe刻蚀前沿的形成机制
相关领域
材料科学
蚀刻（微加工）
反应离子刻蚀
光电子学
硅锗
干法蚀刻
各向同性
图层（电子）
各向异性
硅
纳米技术
光学
物理
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期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者：Yu Zhao; Taku Iwase; Makoto Satake; Hirotaka Hamamura 出版日期：2021-01-01 |
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