标题 |
Interfacial-Layer Design for Hf1-xZrxO2-Based FTJ Devices: From Atom to Array
Hf1-xZrxO2基FTJ器件的界面层设计:从原子到阵列
相关领域
铁电性
正交晶系
金属
材料科学
结晶学
物理
分析化学(期刊)
光电子学
化学
电介质
晶体结构
有机化学
冶金
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者:Hsien-Tsung Chiang; Jia Wang; K. -H. Lin; Chih‐Hung Nien; Jun Wu; et al 出版日期:2022-06-12 |
求助人 | |
下载 | 暂无链接,等待应助者上传 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|