标题 |
Dopant Analysis of SiC MOSFET with Scanning Probe Technique
用扫描探针技术分析SiC MOSFET的掺杂
相关领域
掺杂剂
MOSFET
材料科学
光电子学
碳化硅
宽禁带半导体
兴奋剂
电气工程
复合材料
工程类
晶体管
电压
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DOI | |
其它 |
期刊: 作者:Ting Zhang; Yan Liu; Anli Yang; Yupu Wang; Ke Xiao; et al 出版日期:2024-07-15 |
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