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标题
Enhancing Carrier Mobility in Monolayer MoS2 Transistors with Process-Induced Strain
用工艺诱导应变增强单层MoS2晶体管的载流子迁移率
相关领域
材料科学 晶体管 应变工程 单层 电子迁移率 光电子学 半导体 兴奋剂 数码产品 纳米技术 拉曼光谱 柔性电子器件 饱和速度 硅 电气工程 电压 光学 工程类 物理
网址
https://doi.org/10.1021/acsnano.4c01457
AI链接 nih.govdoi.org
DOI
10.1021/acsnano.4c01457 doi
其它 期刊：ACS Nano
作者：Yue Zhang; He Zhao; Siyuan Huang; M. Abir Hossain; Arend M. van der Zande
出版日期：2024-05-03
求助人
WJ 在 2024-12-21 02:19:36 发布自江苏，悬赏 10 积分
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