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 β‐(Al0.17Ga0.83)2O3/Ga2O3 Delta‐Doped Heterostructure MODFETs with an Ultrathin Spacer Layer and a Back‐Barrier Layer: A Comprehensive Technology Computer‐Aided Design Analysis 具有超薄间隔层和后势垒层的β-(Al0.17Ga 0.83)2O3/Ga2O3 δ掺杂异质结构MODFET：综合技术计算机辅助设计分析
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期刊：physica status solidi (a) 作者：G. Atmaca; Ho‐Young Cha 出版日期：2022-04-23 |
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