GaAs to Si Direct Wafer Bonding at T ≤ 220 °C in Ambient Air Via Nano-Bonding™ and Surface Energy Engineering (SEE)

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标题	GaAs to Si Direct Wafer Bonding at T ≤ 220 °C in Ambient Air Via Nano-Bonding™ and Surface Energy Engineering (SEE) 相关领域材料科学 X射线光电子能谱晶片键合薄脆饼表面能硅纳米技术化学键光电子学化学工程复合材料化学工程类有机化学
网址	https://link.springer.com/article/10.1007/s12633-022-01855-9...
DOI	10.1007/s12633-022-01855-9 doi
求助人	9958 在 2023-05-06 11:29:18 发布自陕西，悬赏 10 积分
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