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 Trap Generation in Whole Gate Stacks of FeFET With TiN/Hf0.5Zr0.5O2/SiOx/Si (MFIS) Gate Structure During Endurance Fatigue TiN/Hf0.5Zr0.5O2/SiOx/Si（MFIS）栅极结构FeFET全栅极堆叠中的陷阱产生
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Jiahui Duan; Shujing Zhao; Fengbin Tian; Jinjuan Xiang; Kai Han; et al 出版日期：2022-11-04 |
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