Pulsed E-/D-Mode Switchable GaN HEMTs With a Ferroelectric AlScN Gate Dielectric

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标题	Pulsed E-/D-Mode Switchable GaN HEMTs With a Ferroelectric AlScN Gate Dielectric 具有铁电AlScN栅介质的脉冲E-/D模式可切换GaN HEMTs 相关领域铁电性高电子迁移率晶体管电介质材料科学光电子学晶体管和大门电压电气工程逻辑门工程类
网址	https://doi.org/10.1109/led.2023.3287913
DOI	10.1109/led.2023.3287913 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Jeong Yong Yang; Seung‐Yoon Oh; Min Jae Yeom; Seokgi Kim; Gyuhyung Lee; et al 出版日期：2023-08-01
求助人	叶子在 2024-03-05 16:36:25 发布自浙江，悬赏 10 积分
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