| 标题 |
 Growth of AlGaN alloys with ∼ 90 % AlN mole fraction by plasma-assisted molecular beam epitaxy: Indication of phase-segregation effects 通过等离子体辅助分子束生长AIN摩尔分数为90%的TGA合金：相分离效应的指示
相关领域
分子束外延
摩尔分数
相（物质）
等离子体
材料科学
外延
分数（化学）
分析化学（期刊）
化学
纳米技术
物理化学
图层（电子）
物理
有机化学
量子力学
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Pushan Guha Roy; Sayantani Sen; Chirantan Singha; Anirban Bhattacharyya 出版日期：2024-06-14 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
穆紫
带头大哥
shinysparrow
好困
完美的天空
HEIKU
iNk
寻道图强
Garry
不懈奋进
Leonardi
pluto
Singularity
爱静静
夏来
qwe
OCDer
Yziii
wzk
vlots
皖公网安备34019202002308
