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 4H-SiC Epitaxial Layer Grown on 150 mm Automatic Horizontal Hot Wall Reactor PE106 在150 mm自动水平热壁反应器PE106上生长的4H-SiC外延层
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期刊：Materials science forum 作者：Marco Mauceri; Antonino Pecora; Grazia Litrico; Carmelo Lo Vecchio; Marco Puglisi; et al 出版日期：2014-02-26 |
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