标题 |
Review of Material Properties of Oxide Semiconductor Thin Films Grown by Atomic Layer Deposition for Next-Generation 3D Dynamic Random-Access Memory Devices
用于下一代三维动态随机存储器件的原子层沉积氧化物半导体薄膜材料性能研究进展
相关领域
原子层沉积
材料科学
图层(电子)
沉积(地质)
半导体
薄膜
氧化物
动态随机存取存储器
光电子学
纳米技术
计算机科学
半导体存储器
冶金
计算机硬件
古生物学
沉积物
生物
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Chemistry of Materials 作者:Ae Rim Choi; Dong Hyun Lim; So‐Yeon Shin; Hye Joo Kang; Dohee Kim; et al 出版日期:2024-02-26 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|