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 Influence of Nanoscale Charge Trapping Layer on the Memory and Synaptic Characteristics of a Novel Rubidium Lead Chloride Quantum Dot Based Memristor 纳米电荷捕获层对新型铷铅量子点忆阻器记忆和突触特性的影响
相关领域
记忆电阻器
材料科学
量子点
光电子学
电阻随机存取存储器
电极
纳米技术
非易失性存储器
电容器
电压
电子工程
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物理化学
化学
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期刊：Advanced electronic materials 作者：Ujjal Das; Pranab Sarkar; D. Das; Bappi Paul; Asim Roy 出版日期：2022-01-12 |
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