Study and reduction of the surface pits in 4H-SiC epitaxial wafer

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标题	Study and reduction of the surface pits in 4H-SiC epitaxial wafer 4H-SiC外延晶片表面凹坑的研究与减少相关领域薄脆饼外延材料科学光电子学硅碳化硅复合材料图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2023.127156
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2023.127156 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Weili Lu; Yulong Fang; Jia Li; Jiayun Yin; Bo Wang; et al 出版日期：2023-05-01
求助人	liushan 在 2023-09-11 15:18:57 发布自中国，悬赏 10 积分
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