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Enabling large memory window and high reliability for FeFET memory by integrating AlON interfacial layer
通过集成AlON界面层实现FeFET存储器的大存储器窗口和高可靠性
相关领域
材料科学
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Hao‐Kai Peng; Chi-Yu Chan; Kuen-Yi Chen; Yung‐Hsien Wu 出版日期:2021-03-08 |
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