标题 |
Study and optimising performance of enhancement-mode monolithically integrated white-light HEMT-LED by inserting of InGaN quantum wells
InGaN量子阱增强型单片集成白光HEMT-LED性能研究与优化
相关领域
高电子迁移率晶体管
光电子学
模式(计算机接口)
材料科学
计算机科学
工程类
电气工程
晶体管
操作系统
电压
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DOI |
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