Optical cavity effects in InGaN/GaN quantum-well-heterostructure flip-chip light-emitting diodes

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标题	Optical cavity effects in InGaN/GaN quantum-well-heterostructure flip-chip light-emitting diodes InGaN/GaN量子阱异质结构倒装发光二极管中的光腔效应相关领域光电子学发光二极管异质结量子阱材料科学二极管宽禁带半导体光学物理激光器
网址	https://doi.org/10.1063/1.1566098
DOI	10.1063/1.1566098 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Y. C. Shen; Jonathan J. Wierer; Michael R. Krames; Michael J. Ludowise; Mira S. Misra; et al 出版日期：2003-04-02
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