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High-Endurance MoS2 FeFET with Operating Voltage Fess Than IV for eNVM in Scaled CMOS Technologies
用于缩放CMOS技术中eNVM的工作电压Fess高于IV的高耐久性MoS2 FeFET
相关领域
CMOS芯片
电压
电气工程
计算机科学
电子工程
嵌入式系统
光电子学
工程类
材料科学
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期刊: 作者:Tsung-En Lee; Hung-Li Chiang; Chih‐Yu Chang; Yuan-Chun Su; Shu-Jui Chang; et al 出版日期:2023-12-09 |
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