| 标题 |
 Improved Reliability for Back-End-of-Line Compatible Ferroelectric Capacitor With 3 Bits/Cell Storage Capability by Interface Engineering and Post Deposition Annealing 通过界面工程和沉积后退火提高具有3位/单元存储能力的后端兼容铁电电容器的可靠性
相关领域
电容器
铁电性
退火（玻璃）
材料科学
数学
物理
光电子学
电介质
量子力学
电压
复合材料
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Hao‐Kai Peng; Ting-Chieh Lai; Yu‐Cheng Kao; Chia-Ming Liu; Pin‐Jiun Wu; et al 出版日期：2022-11-04 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
lalala
劲秉
迟大猫
杳鸢
kingwill
djsj
眯眯眼的衬衫
36456657
坚强的广山
子车茗
笑点解析
凹凸先森
Hungrylunch
pluto
prosperp
天真蓝
VDC
宜醉宜游宜睡
爱静静
皖公网安备34019202002308
