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 Effect of substrate orientation on homoepitaxial growth of β -Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy 衬底取向对卤化物气相外延生长β-Ga2O3的影响
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Ken Goto; Hisashi Murakami; Akito Kuramata; Shigenobu Yamakoshi; Masataka Higashiwaki; et al 出版日期：2022-03-07 |
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