| 标题 |
 P‐1.5: Influence of Bandgap of SiNx Gate Insulator on the Degradation Behavior of Amorphous Silicon Thin‐Film Transistors under Reliability Test P-1.5：可靠性试验下SiNx栅极绝缘体带隙对非晶硅薄膜晶体管退化行为的影响
相关领域
材料科学
光电子学
非晶硅
可靠性（半导体）
无定形固体
薄膜晶体管
降级（电信）
硅
带隙
绝缘体（电）
晶体管
电子工程
纳米技术
电气工程
晶体硅
结晶学
工程类
化学
电压
功率（物理）
图层（电子）
物理
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：SID Symposium Digest of Technical Papers 作者：Xiaoliang Zhou; Hao Li; Lei Qiao; Xu Wang; Zhichao Zhou; et al 出版日期：2024-04-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
科研小民工
苏卿
劲秉
kingwill
SYLH
36456657
缓慢如南
龙玄泽
一一
pluto
暴躁的夏烟
坚强的广山
VDC
杳鸢
爱静静
cdercder
Zn
迟大猫
sutharsons
请叫我风吹麦浪
皖公网安备34019202002308
