An enhanced dry-wet hybrid cyclic etching method for high resistance Si (111) based AlInGaN/GaN heterojunction epitaxy: comparison on various etching process - 科研通

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标题	An enhanced dry-wet hybrid cyclic etching method for high resistance Si (111) based AlInGaN/GaN heterojunction epitaxy: comparison on various etching process 用于高电阻Si（111）基AlInGaN/GaN异质结外延的干湿混合循环刻蚀方法：不同刻蚀工艺的比较相关领域异质结材料科学蚀刻（微加工）光电子学外延干法蚀刻过程（计算）宽禁带半导体纳米技术计算机科学操作系统图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1109/iws61525.2024.10713580
DOI	10.1109/iws61525.2024.10713580 doi
其它	期刊：2018 IEEE MTT-S International Wireless Symposium (IWS) 作者：Guiyu Shen; Yulong Fang; He Guan 出版日期：2024-05-16
求助人	Sue kong 在 2025-03-12 10:02:59 发布自江苏，悬赏 10 积分
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