Modeling of thin-film transistor device characteristics based on fundamental charge transport physics

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标题	Modeling of thin-film transistor device characteristics based on fundamental charge transport physics 基于基本电荷输运物理的薄膜晶体管器件特性建模相关领域薄膜晶体管晶体管半导体电荷（物理）半导体器件光电子学接触电阻材料科学模块化设计计算机科学物理电气工程图层（电子）纳米技术电压工程类量子力学操作系统
网址	https://doi.org/10.1063/5.0083876
DOI	10.1063/5.0083876 doi
其它	期刊：Journal of applied physics 作者：Wang Xiao; Ananth Dodabalapur 出版日期：2022-07-22
求助人	清新的沛蓝在 2024-05-06 22:43:58 发布自福建，悬赏 10 积分
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