MoS2/GaN Junction Field‐Effect Transistors with Ultralow Subthreshold Swing and High On/Off Ratio via Thickness Engineering for Logic Inverters

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标题	MoS2/GaN Junction Field‐Effect Transistors with Ultralow Subthreshold Swing and High On/Off Ratio via Thickness Engineering for Logic Inverters 用于逻辑反相器的超低亚阈值摆幅和高通/关断比MoS2/GaN结场效应晶体管通孔厚度工程相关领域材料科学阈下摆动摇摆光电子学晶体管场效应晶体管阈下传导纳米技术工程物理电气工程电压机械工程工程类
网址	https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/adfm.2024109...
DOI	10.1002/adfm.202410954 doi
其它	期刊：Advanced Functional Materials 作者：Yao Zhou; Fei Li; Wenfeng Li; Jianru Chen; Jiahao Gao; et al 出版日期：2024-09-06
求助人	Li 在 2024-10-21 15:17:12 发布自广东，悬赏 10 积分
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